Haushalt
Infineon MOSFET IRLB3034PBF N-Kanal 40 V 195 A TO-220AB
N-Kanal-MOSFET IRLB3034PBF aus der HEXFET®-Serie von Infineon im TO-220AB-Gehäuse mit 40 V, 195 A und sehr niedrigem R(DS)(on) von 1,7 mΩ.
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Beschreibung des Produkts
Technische Daten
| Drain-Source-Durchbruchspannung U(BR)(DSS) | 40 V |
| Serie (Halbleiter) | HEXFET® |
| Kanäle | 1 |
| Typ (Hersteller) | IRLB3034PBF |
| Gehäusetyp (Halbleiter) | TO-220AB |
| Betriebstemperatur (min.) | -55 °C |
| Betriebstemperatur (max.) | +175 °C |
| Herstellerkürzel (Bauteil) | INF |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| R(DS)(on) | 1,7 mΩ |
| Referenzspannung R(DS)(on) | 10 V |
| I(D) | 195 A |
| Transistortyp | MOSFET |
| Referenzstrom U(GS)(th) max. | 250 µA |
| Kanaltyp | N-Kanal |
| Referenzstrom R(DS)(on) | 195 A |
| C(ISS) | 10315 pF |
| U(DSS) | 40 V |
| Referenzspannung Q(G) | 4,5 V |
| U(GS)(th) max. | 2,5 V |
| Q(G) | 162 nC |
| Referenzspannung C(ISS) | 25 V |
| Verlustleistung | 375 W |
Parameter
- Hersteller Infineon
Infineon
Infineon ist führend im Bereich Halbleiterbauelemente, die in modernen Technologien eine Schlüsselrolle spielen. Die Produkte des Unternehmens sorgen für zuverlässige Leistung und Energieeffizienz in der Automobilindustrie, der industriellen Automatisierung und weiteren Branchen.
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